Máquina de litografía por haz de electrones OPTO-EDU A63.7010 EBL
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Resaltar
Máquina de litografía por haz de electrones EBL
,microscopio de escaneo de litografía por haz de electrones
,Máquina de litografía OPTO-EDU A63.7010
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Equipo estándarEtapa de interferómetro láser
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Viajes por etapas≤105 milímetros
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Resolución de imagen≤1nm@15kV; ≤1,5 nm@1kV
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Densidad de corriente del haz>5300 A/cm2
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Tamaño mínimo del punto del haz≤2 nanómetro
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Obturador de haz de electronesTiempo de subida < 100 ns
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Lugar de origenPorcelana
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Nombre de la marcaCNOEC, OPTO-EDU
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CertificaciónCE,
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Número de modeloA63.7010
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Documento
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Cantidad de orden mínima1 pieza
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PrecioFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
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Detalles de empaquetadoEmbalaje del cartón, para el transporte de la exportación
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Tiempo de entrega180 días
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Condiciones de pagoT/T, West Union, PayPal
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Capacidad de la fuentemes de 5000 PC
Máquina de litografía por haz de electrones OPTO-EDU A63.7010 EBL
| Especificaciones de la Etapa | |
| Equipo Estándar | Etapa con Interferómetro Láser |
| Recorrido de la Etapa | ≤105 mm |
| Especificaciones del Cañón de Electrones y de Imagen | |
| Cañón de Emisión de Campo Schottky | Voltaje de Aceleración 20V~ 30kV Detector de Electrones Secundarios Lateral y Detector de Electrones en Lente |
| Resolución de Imagen | ≤1nm@15kV; ≤1.5nm@1kV |
| Densidad de Corriente del Haz | >5300 A/cm2 |
| Tamaño Mínimo del Punto del Haz | ≤2 nm |
| Especificaciones de Litografía | |
| Obturador de Haz de Electrones | Tiempo de Subida < 100 ns |
| Campo de Escritura | ≤500x500 um |
| Ancho Mínimo de Línea de Exposición Única | 10±2nm |
| Velocidad de Escaneo | 25 MHz/ 50 MHz |
| Parámetros del Generador de Gráficos | |
| Núcleo de Control | FPGA de Alto Rendimiento |
| Velocidad Máxima de Escaneo | 50 MHz |
| Resolución D/A | 20 bits |
| Tamaños de Campo de Escritura Soportados | 10 um~500 um |
| Soporte de Obturador de Haz | 5VTTL |
| Incremento Mínimo del Tiempo de Permanencia | 10ns |
| Formatos de Archivo Soportados | GDSIl, DXF, BMP, etc. |
| Medición de Corriente del Haz con Taza de Faraday | Incluido |
| Corrección de Efecto de Proximidad | Opcional |
| Etapa con Interferómetro Láser | Opcional |
| Modos de Escaneo | Secuencial (tipo Z), Serpentina (tipo S), Espiral y otros modos de escaneo vectorial |
| Modos de Exposición | Soporta calibración de campo, empalme de campo, superposición y exposición automática multicapa |
| Soporte de Canal Externo | soporta escaneo de haz de electrones, movimiento de etapa, control de obturador de haz y detección de electrones secundarios |
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Etapa con Interferómetro Láser Etapa con Interferómetro Láser: Una etapa avanzada con interferómetro láser que cumple los requisitos para empalme y superposición de gran recorrido y alta precisión |
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Cañón de Emisión de Campo Un cañón de emisión de campo de alta resolución es una garantía importante para la calidad de la litografía |
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Generador de Gráficos Logra un dibujo de patrones de ultra-alta resoluciónmientras asegura un escaneo de ultra-alta velocidad |
| A63.7010 VS Raith 150 Two | ||
| Modelo del Dispositivo | OPTO-EDU A63.7010 (China) | Raith 150 Two (Alemania) |
| Voltaje de Aceleración (kV) | 30 | 30 |
| Diámetro Mínimo del Punto del Haz (nm) | 2 | 1.6 |
| Tamaño de la Etapa (pulgadas) | 4 | 4 |
| Ancho Mínimo de Línea (nm) | 10 | 8 |
| Precisión de Empalme (nm) | 50(35nm) | 35 |
| Precisión de Superposición (nm) | 50(35nm) | 35 |
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