OPTO-EDU A63.7190 Microscopio Electrónico de Barrido de Dimensión Crítica 300000x
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Tamaño de la obleaA63.7190-68: 6/8 pulgadas
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Resolución2.5nm (Acc=800V)
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Válvulas de aceleración0.5-1.6KV
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RepetibilidadLas medidas de seguridad de los sistemas de control de velocidad se aplicarán a los sistemas de cont
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Corriente del haz de la sonda3 ~ 30 pA
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Rango de mediciónVdF 0,1-2,0 μm
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Lugar de origenChina.
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Nombre de la marcaCNOEC, OPTO-EDU
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CertificaciónCE, Rohs
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Número de modeloEl A63.7190
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Documento
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Cantidad de orden mínima1 por ciento
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PrecioFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
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Detalles de empaquetadoEmbalaje del cartón, para el transporte de la exportación
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Tiempo de entregaEntre 5 y 20 días
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Condiciones de pagoT/T, unión del oeste, Paypal
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Capacidad de la fuentemes de 5000 PC
OPTO-EDU A63.7190 Microscopio Electrónico de Barrido de Dimensión Crítica 300000x
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Un microscopio electrónico de escaneo de dimensión crítica (CD-SEM) es un SEM especializado utilizado para medir las dimensiones de características diminutas en obleas de semiconductores, fotomascas y otros materiales.Estas mediciones son cruciales para garantizar la exactitud y precisión de los dispositivos electrónicos fabricados.
¿Qué quieres decir?Compatible con obleas de 6/8 de pulgada tamaño, aumento 1000x-300000x ¿Qué quieres decir?Resolución 2,5 nm (Acc=800V), tensiones de aceleración 500V-1600V ¿Qué quieres decir?Repetibilidad estática y dinámica ± 1% o 3nm ((3 Sigma), corriente de haz de sonda 3 ~ 30pA ¿Qué quieres decir?Diseño de sistemas de transferencia de obleas de alta velocidad adecuados para chips de semiconductores de tercera generación ¿Qué quieres decir?Sistemas avanzados de óptica electrónica y procesamiento de imágenes, incluidos refrigeradores, bombas secas |
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¿Qué es esto? ▶Características clave Los CD-SEM utilizan un haz de electrones de baja energía y tienen una calibración de aumento mejorada para garantizar mediciones precisas y repetibles.y ángulos de las paredes laterales de los patrones. |
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¿Qué es esto? ▶Objetivo Los CD-SEM son esenciales para la metrología en la industria de semiconductores, ayudando a medir las dimensiones críticas (CD) de los patrones creados durante los procesos de litografía y grabado.Los CD se refieren a los tamaños de las características más pequeños que se pueden producir y medir de manera confiable en una oblea. |
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¿Qué es esto? ▶Aplicaciones Estos instrumentos se utilizan en las líneas de fabricación de dispositivos electrónicos para garantizar la precisión dimensional de las diversas capas y características que componen un chip.También desempeñan un papel crucial en el desarrollo y control de procesos., ayudar a identificar y corregir cualquier problema que pueda surgir durante el proceso de fabricación.
¿Qué es esto? ▶Importancia Sin CD-SEM, la microelectrónica moderna tendría dificultades para alcanzar el alto nivel de precisión y rendimiento que exige la industria.Son indispensables para garantizar la fiabilidad y la funcionalidad de los dispositivos electrónicos modernos. |
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¿Qué es esto? ▶El cambio tecnológico A medida que las técnicas de litografía avanzan y los tamaños de las piezas continúan reduciéndose, los CD-SEM evolucionan constantemente para satisfacer las demandas de la industria.Se están desarrollando nuevas tecnologías y avances en CD-SEM para hacer frente a los retos de medir patrones cada vez más complejos |
| A63.7190 Microscopio electrónico de exploración de dimensiones críticas (CDSEM) | ||
| Tamaño de la oblea | A63.7190-68 El Parlamento Europeo y el Consejo: 6/8 pulgadas | A63.7190-12 El Consejo Europeo- ¿ Por qué? |
| Resolución | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc-800V) |
| Válvulas de aceleración | 0.5-1.6KV | 0.3-2.0KV |
| Repetibilidad | Las medidas de seguridad de los sistemas de control de velocidad se aplicarán a los sistemas de control de velocidad de los sistemas de control de velocidad. | El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable. |
| Corriente del haz de la sonda | 3 ~ 30 pA | 3 ~ 40 pA |
| Rango de medición | VdF 0,1-2,0 μm | VAL 0,05 ~ 2,0 μm |
| Producción | > 20 obleas/hora, | > 36 obleas/hora, |
| 1 punto por ficha, | 1 punto por ficha, | |
| 20 fichas por oblea | 20 fichas por oblea | |
| Magnificación | 1Kx ~ 300Kx | 1Kx a 500Kx |
| Precisión de la etapa | 0.5 μm | |
| Fuente de electrones | Emitente de campo térmico Schottky | |
| Comparación de los principales modelos de CDSEM en el mercado | |||||
| Especificación | - ¿ Qué pasa? | - ¿ Qué pasa? | - ¿ Qué pasa? | Opto-Edu | Opto-Edu |
| S8840 | S9380 | S9380 II | A63.7190-68 El Parlamento Europeo y el Consejo | A63.7190-12 El Consejo Europeo | |
| 1. Tamaño de la oblea | 6 pulgadas 8 pulgadas | 8 pulgadas / 12 pulgadas | 8 pulgadas / 12 pulgadas | 6 pulgadas 8 pulgadas | 12 pulgadas |
| 2Resolución. | 5nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc=800V) |
| 3- Váltigo de aceleración. | 500-1300 V | Las demás: | Las demás: | De otro tipo | 300-2000V |
| 4. Repetibilidad (estática y dinámica) | ± 1% o 5 nm ((3 sigma) | ± 1% o 2 nm ((3 sigma) | ± 1% o 2 nm ((3 sigma) | ± 1% o 3 nm ((3 sigma) | ± 1% o 0,3 nm ((3 sigma) |
| 5. Rango Ip (corriente de la sonda) | 1 a 16 pA | 3-50 pA | 3-50 pA | 3 a 30 pA | 3 a 40 pA |
| 6. Tamaño del FOV | - | 50 nm-2um | 0.05-2um | 0.1-2um | 0.05-2um |
| 7- El resultado. | 26 obleas por hora, | 24 obleas por hora, | 24 obleas por hora, | > 20 obleas/hora, | 36 obleas por hora, |
| 1 punto por ficha, | 1 punto por ficha, | 1 punto por ficha, | 1 punto por ficha, | 1 punto por ficha, | |
| 5 fichas por oblea | 20 fichas por oblea | 20 fichas por oblea | 20 fichas por oblea | 20 fichas por oblea | |
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